当前位置: 首页 > 小九体育直播下载

晶圆静电吸附(ESC)详解

时间: 2024-01-26 14:00:55 |   作者: 小9直播足球

产品概述

 

  在前两篇文章中,我们分别介绍了常见的晶圆吸附技术,静电吸盘的详细原理,见文章: 常见的晶圆吸附技术

  什么是真空吸盘?晶圆真空吸盘通常由坚硬的表面构成,表面上有许多小孔或通道。通过这一些小孔,吸盘可以与真空泵连接,由此产生真空效应。

  当晶圆放置在吸盘上时,真空泵被打开,通过小孔抽取空气,从而在晶圆和吸盘之间产生真空。这个真空效应产生了足够的吸力,将晶圆牢固地吸附到吸盘表面上。

  真空吸盘的形状尺寸?点击加入作者的芯片制造与封装知识社区 晶圆真空吸盘通常是圆形的,并且比晶圆尺寸稍大。常见尺寸范围为直径 50 毫米至 300 毫米以上,大多数真空吸盘采用同心圆环真空设计。真空吸盘通常与晶圆的标准尺寸相匹配,且不一样的尺寸的晶圆对应对应尺寸的吸盘,一般不能混用。例如,150 毫米(6 inch)吸盘可以固定150 毫米晶圆,如果要兼容4inch晶圆,在大多数情况下要安装夹具。

  真空吸盘的材质?铝——吸盘由铝制成,铝是一种相对柔软、轻质、无磁性、耐腐蚀的材料。使用铝卡盘以避免损坏工件。铝和铝合金的导热性和导电性非常好。

  黄铜/青铜——吸盘由黄铜或青铜制作而成或内衬黄铜或青铜。黄铜卡盘和青铜卡盘可避免工件损坏,同时仍提供适当的刚性和精确的固定和定位。铜和一些铜合金的导热性和导电性非常好,在冷却或加热应用中会快速导热。。黄铜不适合用于高真空和高温腔室环境中的晶圆卡盘,因为黄铜合金中的锌很容易蒸发。 陶瓷– 陶瓷表面通常用于需要高纯度和化学稳定性的应用。陶瓷是通过矿物高温融合而生产的材料。一般来说,陶瓷是电绝缘体或半导体,并且具有高抗热击穿、侵蚀和损伤的能力。

  非热卡盘– 非热卡盘在室温下运行,没有加热或冷却功能。 热卡盘– 热卡盘具有整体加热或冷却功能,可在工艺流程中将晶圆保持在特定温度。

  外径——外径或宽度决定了可以固定的晶圆的尺寸 平整度——晶圆吸盘的平整度是一个重要的指标,通常以微米为单位。对于极紫外光刻,需要具有高平坦度的晶圆卡盘进行聚焦。 温度范围——对于热吸盘,这表明热吸盘能够给大家提供的温度控制范围。对于非热吸盘,温度范围表示吸盘可以在不损坏的情况下运行的极限温度。

  热稳定性——热稳定性表示热晶圆吸盘的温度控制水平。 热均匀性——整个晶圆表面温度控制的均匀性。具有高热均匀性的热卡盘不会有热点或冷点。

  声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。举报投诉

  封装测试是半导体芯片制作的完整过程中很重要的一步,它能够保证芯片质量,并确保生产出的芯片

  制造工艺对温度控制的要求慢慢的升高。热电偶作为一种常用的温度测量设备,在

  的生产和集成电路的封装阶段。本节主要讲解集成电路封装阶段的部分。 集成电路

  表面上和表面内制造出半导体器件的一系列生产的全部过程。整个制作的完整过程从硅单晶抛光片开始,到

  是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体

  棒,成为制造积体电路的石英半导体的材料,经过照相制版,研磨,抛光,切片等程序,将多晶硅融解拉出单晶硅

  //熟悉半导体制造流程的朋友知道,芯片在切割封装之前,所有的制造流程都是在

  制造、中期测试、封装到最终测试,每一步都会对良率产生一定的影响。工艺复杂,工艺步骤(约300步)成为影响良率的重要的因素。可以看出,

  是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体

  生产的全球五大厂商——日本SEH、Sumco、德国Siltronic、台湾GlobalWafter

  直径的增加,对于非常精细的图案ULSI器件高度坚固的表明上进行完整的清洗、清洗和干燥是极其困难的。IPA蒸汽干燥是半导体制造中大范围的应用的一种干燥方法。由于IPA具有低表面张力

  是一种常见的物理现象,当带有相反极性电荷的两块极板相互靠近时,由于电荷间的相互作用力,会产生

  是用切片系统来进行切割(划片)的,这种方法以往占据了世界芯片切割市场的较大份额,特别是在非集成电路

  项目慢慢的开始筹备,期望有朝一日能够打破进口依赖,并有足够的能力满足市场需求。

  棒,成为制造集成电路的石英半导体的材料,经过照相制版,研磨,抛光,切片等程序,将多晶硅融解拉出单晶硅

  针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test and Final Test)等几个步骤。

  棒,成为制造积体电路的石英半导体的材料,经过照相制版,研磨,抛光,切片等程序,将多晶硅融解拉出单晶硅

  制造工艺流程,包括表面清洗,初次氧化,热处理,光刻技术和离子刻蚀技术等

  ;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。

  是制造IC的基本原料 集成电路(IC)是指在一半导体基板上,利用氧化、蚀刻、扩散等方法,将众多电子电路组成

 

返回